在多通道設(shè)計(jì)中，獨(dú)立驅(qū)動(dòng)每一條通道都會(huì)消耗更多的功率、更多的元件，并占用更大的電路板空間。結(jié)果導(dǎo)致溫度相關(guān)設(shè)計(jì)復(fù)雜化，并且在更高的成本下聲音質(zhì)量和可靠性卻較低。
因此，為盡可能減少高性能多通道音頻系統(tǒng)的功耗和簡(jiǎn)化相關(guān)的溫度管理，設(shè)計(jì)工程師一直希望借助能在寬輸出功率水平范圍下提供超過(guò)90%效率的高效D類(lèi)音頻放大器。相比之下，適用于這個(gè)市場(chǎng)的傳統(tǒng)AB類(lèi)放大器其效率只有50%左右，且效率會(huì)隨著輸出功率水平下降而快速下滑。同樣地，工程師還不斷研究集 成式IC的效能，以減少元件數(shù)目和電路板面積。
不論是汽車(chē)娛樂(lè)還是家庭影院系統(tǒng)市場(chǎng)，消費(fèi)者始終要求有更多的通道和揚(yáng)聲器，每個(gè)通道還要能夠處理更高的音頻功率水平。除了更高的瓦特?cái)?shù)，音響發(fā)燒友還不斷要求改善聲音質(zhì)量，減少失真和噪聲，以及通道之間出色的隔離效果。
4通道驅(qū)動(dòng)器
國(guó)際整流器公司(IR)根據(jù)這種需求，把先進(jìn)DirectFET功率MOSFET與創(chuàng)新的集成音頻驅(qū)動(dòng)器結(jié)合，開(kāi)發(fā)出一種4通道D類(lèi)音頻放大器設(shè) 計(jì)，其性能可與單通道解決方案相媲美。為達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，電路采用了集成式音頻驅(qū)動(dòng)器IRS2093M，該器件將4個(gè)高壓功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器的通道整合 到同一塊芯片上。此外，這款200V的器件包含專(zhuān)為半橋拓樸中的D類(lèi)音頻放大器應(yīng)用而設(shè)計(jì)的片上誤差放大器、模擬PWM調(diào)制器、可編程預(yù)置死區(qū)時(shí)間以及可 靠的保護(hù)功能(圖1) 。除了可以防止功率MOSFET出現(xiàn)直通電流和電流沖擊，可編程預(yù)置死區(qū)時(shí)間還實(shí)現(xiàn)了功率和通道數(shù)量可擴(kuò)展的功率設(shè)計(jì)。這些保護(hù)功能包括帶有自動(dòng)復(fù)位控制 功能的過(guò)流保護(hù)(OCP)和欠壓閉鎖(UVLO)保護(hù)。
為了在不同通道之間實(shí)現(xiàn)一流的隔離，音頻驅(qū)動(dòng)器部署了已獲肯定的高壓結(jié)隔離技術(shù)和采用Gen 5 HVIC工藝的浮動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器。這樣就在裸片上實(shí)現(xiàn)了良好的內(nèi)部信號(hào)隔離，這使得電路可以同時(shí)處理更多通道的信號(hào)，從而把每個(gè)通道的基本噪音保持在非常低 的水平，同時(shí)盡可能減小了通道之間的串?dāng)_。
